Samsung MZ-V9S1T0. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7150 Mo/s, Vitesse d'écriture: 6300 Mo/s, composant pour: PC
| Taille du SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
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| Consommation électrique moyenne (écriture) | 4,2 W |
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| Hauteur | 22,1 mm |
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| Poids | 9 g |
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| Interface | PCI Express 4.0 |
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| Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
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| Tension de fonctionnement | 3,3 V |
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| Température d'opération | 0 - 70 °C |
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| Largeur | 80,2 mm |
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| Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) | Oui |
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| Lecture aléatoire (4KB) | 850000 IOPS |
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| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
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| Support S.M.A.R.T. | Oui |
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| Support TRIM | Oui |
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| Vitesse d'écriture | 6300 Mo/s |
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| composant pour | PC |
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| NVMe | Oui |
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| Type de mémoire | V-NAND TLC |
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| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 1 To |
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| Facteur de forme SSD | M.2 |
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| Marque | Samsung |
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| Profondeur | 2,38 mm |
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| Version NVMe | 2.0 |
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| Le chiffrement matériel | Oui |
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| Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
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| Vitesse de lecture | 7150 Mo/s |
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| Écriture aléatoire (4KB) | 1350000 IOPS |
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| Consommation électrique moyenne (lecture) | 4,3 W |
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