Samsung MZ-V9S1T0. Capacité du Solid State Drive (SSD): 1 To, Facteur de forme SSD: M.2, Vitesse de lecture: 7150 Mo/s, Vitesse d'écriture: 6300 Mo/s, composant pour: PC
Caractéristiques
| Taille du SSD M.2 | 2280 (22 x 80 mm) |
| Consommation électrique moyenne (écriture) | 4,2 W |
| Hauteur | 22,1 mm |
| Poids | 9 g |
| Interface | PCI Express 4.0 |
| Choc durant le fonctionnement | 1500 G |
| Tension de fonctionnement | 3,3 V |
| Température d'opération | 0 - 70 °C |
| Largeur | 80,2 mm |
| Prise en charge de DevSlp (veille du dispositif) | Oui |
| Lecture aléatoire (4KB) | 850000 IOPS |
| Algorithme de sécurité soutenu | 256-bit AES |
| Support S.M.A.R.T. | Oui |
| Support TRIM | Oui |
| Vitesse d'écriture | 6300 Mo/s |
| composant pour | PC |
| NVMe | Oui |
| Type de mémoire | V-NAND TLC |
| Capacité du Solid State Drive (SSD) | 1 To |
| Facteur de forme SSD | M.2 |
| Marque | Samsung |
| Profondeur | 2,38 mm |
| Version NVMe | 2.0 |
| Le chiffrement matériel | Oui |
| Temps moyen entre pannes | 1500000 h |
Référence : SAMSUNGMZV9S1T01TOM2 — EAN : 8806095575674
